ถึงแม้เราเพิ่งจะก้าวเข้าสู่ยุคที่มือถือมาพร้อมกับแรม 4 GB แบบเต็มตัวไม่นาน แต่ว่าการพัฒนานี้ยังไม่มีทีท่าว่าจะหยุดอยู่แค่นั้นครับ
วันนี้ Samsung ออกแถลงการณ์ว่า บริษัทประสบความสำเร็จในการพัฒนาโมดูลหรือชิปเซ็ทแรมแบบ LPDDR4 (Low Power Double Data Rate) DRAM ขนาด 12 Gb (gigabit) ด้วยเทคโนโลยีขนาด 20 นาโนเมตรสำเร็จเป็นรายแรกของโลก
โดยหากแปลงขนาด 12 Gb ออกมาเป็นหน่วยความจำแรมที่เราคุ้นเคย จะพบว่าโมดูลหน่วยความจำรุ่นใหม่นี้จะมีขนาด 1.5 GB ต่อชิปเซ็ท 1 ตัว และด้วยการออกแบบเมนบอร์ดปัจจุบันที่รองรับการบรรจุโมดูลแรมถึง 4 ตัว นั่นจะทำให้หากใช้ชิปเซ็ทรุ่นใหม่นี้แล้ว จะสามารถผลิตมือถือที่มีหน่วยความจำภายในได้สูงสุดถึง 6 GB ด้วยเมนบอร์ดขนาดเดิมในปัจจุบันนี้เลยทีเดียว
Samsung ยังระบุอีกว่าโมดูลหน่วยความจำรุ่นใหม่นี้ จะมีความเร็วเหนือกว่าชิปเซ็ทรุ่นปัจจุบันถึง 30% ในขณะที่อัตราการใช้พลังงานจะน้อยกว่าเดิมราว 20% และจะเร็วกว่าแรมแบบ DDR4 บนเครื่องคอมพิวเตอร์ถึง 2 เท่า
Samsung ยังไม่ระบุว่าเราจะได้เห็นการใช้งานโมดูลหน่วยความจำรุ่นใหม่นี้บนมือถือจริงๆเมื่อไหร่ แต่ก็น่าจะเดากันได้ว่า Samsung น่าจะนำมันมาใช้กับมือถือรุ่นเรือธงของตัวเองที่น่าจะเปิดตัวช่วงปีหน้า อย่าง Galaxy S7 หรืออาจจะเลยไปถึง Galaxy Note 6 เลยก็เป็นได้ครับ
ที่มา: Samsung Tomorrow ผ่าน Android Central
